高跨导AlGaN/GaN HEMT器件

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：Okira_lacusO

【摘要】

：

报道了生长在蓝宝石衬底上的AlGaN/GaN HEMT器件的制造工艺以及在室温下器件的性能.器件的栅长为1.0μm,源漏间距为4.0μm.器件的最大电流密度达到1000mA/mm,最大跨导高达198

【作者】

：

肖冬萍刘键魏珂和致经刘新宇吴德馨

【机构】

：

中国科学院微电子中心

【出处】

：

半导体学报

【发表日期】

：

2004年期

【关键词】

：

AlGaN/GaN HEMTs 跨导 AlGaN/GaN high electron mobility transistors transconductance

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报道了生长在蓝宝石衬底上的AlGaN/GaN HEMT器件的制造工艺以及在室温下器件的性能.器件的栅长为1.0μm,源漏间距为4.0μm.器件的最大电流密度达到1000mA/mm,最大跨导高达198mS/mm,转移特性曲线表现出增益带宽较宽的特点.同时由所测得的S参数推出栅长为1.0μm器件的截止频率(fT)和最高振荡频率(fmax)分别为18.7GHz和19.1GHz.

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