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利用MOCVD在r面蓝宝石上生长的a面GaN中两步AlN缓冲层的优化(英文)

来源 :发光学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：zzjokok

【作 者】

：

何涛  陈耀  李辉  戴隆贵  王小丽  徐培强  王文新 

【出 处】

：

发光学报

【发表日期】

：

2011年04期

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