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采用扫描电镜（ SEM）、透射电镜（ TEM）、能谱仪（ EDS）研究了 GaAS /Sn3.5Ag4T i（Ce, Ga）/GaAS焊接界面 的微观结构及焊接机理.通过剪切试验测试了低温活性焊接的力学性能.结果表明, Sn3. 5Ag4T （ Ce, Gi ）低温活性 焊料能够在250 ℃的空气环境中润湿GIA基板;接头界面处有化合物Gi Tm生成.采用吸附理论和反应热力学方 法分析了低温活性焊接机理.结果表明, G1 A 基板与（原子之间存在较大的化学吸附能,可能是实现润湿的重要 原因; G1 A