Sn掺杂对Mn3Zn1-xSnxN化合物负热膨胀行为和电输运性能的影响

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采用固相反应法成功制备了Mn3Zn1-xSnN(x=0.05,0.1,0.15,0.2,0.3)系列化合物,研究了Sn替代zn对Mn3Zn1-xSnxN化合物的热膨胀、熵变和电输运性能的影响。Mn3ZnN化合物在磁相变温区以下具有低热膨胀行为,随着sn掺杂量的增加,Mn3Zn1-xSnxN系列化合物的低膨胀温区(LTE)逐渐提高到室温以上。同时,低膨胀温区内的线膨胀系数逐渐升高。然而,sn含量的增加对磁相变附近的负热膨胀行为未产生明显的影响。电阻测量结果表明Mn3Zn1-xSnxN化合物低温(50K以下)
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