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采用有耗片内螺旋电感和0.18μmCMOS工艺对集成行皮放大器进行了设计，其仿真增益在14GHz的频带内大于15dB。仿真了有耗片内螺旋电感的分布参数对放大器增益的影响，该仿真结果对放大器的设计和优化具有很好的指导作用。
集成CMOS行波放大器的设计和仿真
【摘 要】
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采用有耗片内螺旋电感和0.18μmCMOS工艺对集成行皮放大器进行了设计，其仿真增益在14GHz的频带内大于15dB。仿真了有耗片内螺旋电感的分布参数对放大器增益的影响，该仿真结果对
【机 构】
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上海交通大学电子工程系
【出 处】
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上海交通大学学报
【发表日期】
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2002年12期
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