论文部分内容阅读
在绝缘衬底上生长单晶硅薄膜，即ＳＯＩ技术，是近年发展起来研制三维集成电路的一项新技术，本文讨论了利用扫描电子束对淀积在ＳｉＯ２上的多晶硅薄硅进行改性的实验，采用籽晶液相外延形成单晶硅薄膜，本实验的重点在于摸索电子束的功率密度、扫描速度、衬底的温度和样品结构等因素对形成单晶硅薄膜质量的影响，实验取得了较好的结果，获得了２００×２５μｍ＾２的单晶区。