【摘 要】
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利用负反馈放大器设计原理，采用GaAs PHEMT工艺技术，设计制作了一种微波宽带GaAs PHEMT低噪声放大器芯片，并给出了详细测试曲线。该放大器由两级组成，采用负反馈结构，工作频率0.8-
【基金项目】
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国防预研基金资助项目(51408010205DZ2306)
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利用负反馈放大器设计原理，采用GaAs PHEMT工艺技术，设计制作了一种微波宽带GaAs PHEMT低噪声放大器芯片，并给出了详细测试曲线。该放大器由两级组成，采用负反馈结构，工作频率0.8-8.5 GHz，整个带内功率增益19 dB，噪声系数1.55 dB，增益平坦度小于±0.7 dB，输入驻波比1.6，输出驻波比1.8，1 dB压缩点输出功率大于10 dBm，芯片内部集成偏置电路，单电源＋5 V供电，芯片具有良好的温度特性。该芯片面积为2.5 mm×1.2 mm。
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