Lateral Epitaxy Overgrown（LEO）GaN导热系数的数值研究

来源 :工程热物理学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：jw_wanghaibing

【摘要】

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利用修正的Callaway模型对含杂质、位错、以及同位素的LEO GaN的导热系数进行了研究，计算表明同位素对LEO GaN的导热系数影响较大，而位错和杂质大于一定值时其值才对导热系数产

【作者】

：

于新刚梁新刚

【机构】

：

清华大学航天航空学院

【出处】

：

工程热物理学报

【发表日期】

：

2007年2期

【关键词】

：

导热系数 GAN 驰豫时间 thermal conductivity GaN relaxtion time

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利用修正的Callaway模型对含杂质、位错、以及同位素的LEO GaN的导热系数进行了研究，计算表明同位素对LEO GaN的导热系数影响较大，而位错和杂质大于一定值时其值才对导热系数产生影响。

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