论文部分内容阅读
基于旋磁基片设计并通过光刻工艺制作DC-10GHz微波电阻器。通过HFSS仿真设计制作DC-10GHz电阻器，采用磁控反应溅射制作TaN薄膜，电压驻波比VSWR均小于1．25。旋磁基片微波电阻器相对于应用广泛的氧化铝基片微波电阻器，可直接集成于同样以旋磁为基片的结环行器中，从而能制作出更加小型化的微波隔离器，有效减小器件体积，符合现代通信产品小型化、集成化的发展要求。