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阐述了硅晶片表面的各种沾污对热氧化生长的氧化膜质量的影响。进行了数组热氧化前硅晶片表面沾污清洗的实验，分析清洗液浓度、温度、超声等因素对清洗效果的影响。在显微镜下观察试验结果，对清洗后硅晶片表面出现的微粗糙度、蚀点及损伤等情况做了详细分析．并对引起这些情况的因素重新制定考察水平，进行优化改进，得到最佳的清洗效果。