ARE法制取立方氮化硼膜时提高膜基结合力方法的研究

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采用活性反应离子镀装置,通过电子束蒸镀金属纯硼,在氮、氩混合气体等离子体中,合成了c-BN膜。对沉积后的c-BN膜,在充入高纯氮的条件下,原位进行消应力退火处理以提高膜与基体的结合力。用富立叶变换红外透射谱分析c-BN膜的结构,用弯曲法测量膜的残余压应力,通过划痕试验测量膜与基体的结合力。沉积态的 c-BN膜的残余压应力高达6.6 GPa,当退火温度不超过600℃时,膜的残余压应力消减效果不大;但当经800℃退火 1h后,c-BN膜的残余压应力大幅度下降,降到约 2 GPa,膜与基体的结合力有很大提高,划
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