源区正面通孔电镀热沉结构的X、Ku波段功率GaAs MESFET

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本文简述了采用源区正面通孔电渡热沉结构的三种器件(CX631、CX641、CX671)的设计要点和主要制作技术及性能。由于这种结构的FET的源区通过在极薄GaAs衬底上开凿的通孔和散热电极直接接地,使器件的源寄生电感和热阻大大下降,使得器件在X、Ku波段获得较高增益。CX631器件在12GHz下,P0≥40mW,Gp≥10dB,较好器件P0为58mW,Gp为11.6。CX641器件在18GHz下,P0≥30mW、Gp≥5dB,载体装配器件Gp可达7dB。最好器件P0可达50mW。CX671器件在12GHz下,P0≥80mW,Gp≥9dB,最好器件输出功率可达140mW。
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