本文用红外吸收光谱、电学测量、X射线形貌术、红外显微术和电子显微术等方法,进一步研究了硅单晶中硅氢振动中心的性质以及氢和硅中缺陷的相互关系。对氢气区熔硅单晶中的十二个硅氢红外吸收谱带(分別在2210,2190,2178,2154,2124,2062,1994,1949,812,791,634和548厘米^-1处),进行了鉴别和分组;硅氢振动中心可以用模型{R}SiH_n所描述,{R}代表同Si—H键的硅原子接邻的所有元素的原子或缺陷,得到表征Si—H振动频率的、以{R}的电负性总和为自变量的线性方程。硅氢键当样品经热处理时断裂,所暴露出的硅悬键及继后形成的氢致缺陷可以作为空穴复合中心,引起少子寿命大幅度下降,电阻率在热处理前后变化不大,表明硅中的氢作为施主的可能性很小。本文提出硅中的氢可以在热驱动下沉淀,并且在氢原子或分子间的引力作用下聚集成氢气团;高温下的氢压导致位错从集团壁向外滑移,即晶体内部的“氢胀”引起氢致缺陷。该机制可认为氢对晶体材料造成力学破坏的一种方式。