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表面光电压法近年来在半导体晶片的电学特性研究中发挥了重要作用。本文简述了该方法的测量原理，给出了直径１２５ｍｍ硅抛光片少子扩散长度及铁杂质浓度的测量数据，讨论了了生产工艺对硅抛光片表面质量的影响。
表面光电压测量P型硅抛光片少子扩散长度及铁杂质含量的研究
【摘 要】
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表面光电压法近年来在半导体晶片的电学特性研究中发挥了重要作用。本文简述了该方法的测量原理，给出了直径１２５ｍｍ硅抛光片少子扩散长度及铁杂质浓度的测量数据，讨论了了生产工艺对硅
【机 构】
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北京有色金属研究总院
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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1999年3期
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