【摘 要】
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采用改进型Sagnac干涉光栅写入系统，利用532 nm准带隙光曝光源和带＋1/-1衍射级的相位掩模板，在两种不同直径的低损耗As2S3硫系玻璃光纤上刻写布喇格光栅，并研究曝光期间光栅的动
【机 构】
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南昌大学物理系,上海理工大学光电信息与计算机工程学院
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采用改进型Sagnac干涉光栅写入系统，利用532 nm准带隙光曝光源和带＋1/-1衍射级的相位掩模板，在两种不同直径的低损耗As2S3硫系玻璃光纤上刻写布喇格光栅，并研究曝光期间光栅的动态特性.实验表明，As2S3光纤布喇格光栅透射峰值随光纤直径的减小而增强；在曝光过程中，布喇格波长先是较快地向短波长方向移动，随着曝光时间的延长，布喇格波长缓慢地向长波长方向回复.曝光时间为800~1 000 s时，在包层直径为140 μm的As2S3光纤上获得质量良好的布喇格光栅光谱，其透射峰值可达-2.6 dB，带宽
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