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以惰性盐为分散剂,通过直接氮化金属镓与氟化钙的混合物,在较低温度下(650℃)大量合成出角面截面型氮化镓纳米棒,大大低于以往文献报道的氮化温度(900℃以上).通过X射线衍射和电子显微镜等设备表征,可知所制得的产物为六方相氮化镓纳米棒,且纳米线沿着c轴择优生长；每根氮化镓纳米棒都具有菱形或三角形截面.由于本方法的制备温度低,导致了氮化镓纳米棒与硅基片的良好接触.场发射实验表明,该复合系统具有很低的开启电压(5.4 V/μm)和阈场(8.4 v／μM).