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20001201 原位退火时磁控溅射Nd1ea2Cu3O7-δ薄膜的影响——Mori Z．Thin Solid Films，1999，354(1～2)：195(英文)rn NdBa2Cu3O7-δ(NBCO)薄膜经原位退火后，薄膜质量得到改善。用单靶直流磁控溅射方法在MgO(100)上制备NBCO薄膜，沉积后将薄膜冷却至室温，然后在400 Pa O2气氛中，将沉积室温升高至350～600℃，保温0．5～80．0 h。经此处理后，薄膜的超导性能以及电阻率、粗糙度明显改善。原位退火后可提高薄膜c轴向零电阻温度(tc=-178．7℃)，薄膜临界电流密度为1×106A／cm2(-196℃)，薄膜粗糙度为5．5 nm。20001202 金刚石薄膜的生长和缺陷特征——Lee S．Thin SolidFilms，1999，353(1～2)：45(英文)rn 研究了用微波等离子条件增强CVD技术及CH4-H2混合气制备新型金刚石膜，用X-射线光谱法测试了金刚石薄膜相组成，用拉曼光谱仪，扫描电镜、原子力显微镜观察了薄膜缺陷特征(如在纳米晶粒晶界处存在sP2键C原子)。厚度为170～430 nm带缺陷的金刚石膜具有3层结构，即光亮富C中间层、类整体金刚石层和表面粗糙层，即使金刚石薄膜很薄(如57 nm)仍观察到以上分层结构。当金刚石膜很薄时，薄膜中出现SiC层。20001203 高压磁控溅射纳米ZnS薄膜的特性——Mandal S K．Thin Solid Film，1999，350(1～2)：209(英文)rn 研究了用ZnS靶材，在Ar等离子体中磁控溅射沉积厚度10～14 nm的纳米ZnS薄膜。研究表明，沉积的ZnS薄膜为闪锌矿结构，薄膜光致发光峰取决于薄膜的比表面积，用声子和非均匀增宽观点解释了薄膜光吸收。rn