【摘 要】
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采用改良座滴法在高真空条件下研究了熔融Sn0.3Ag0.7Cu(SAC)-xTi(x为质量分数,%)在800~900℃与单晶硅表面的润湿行为.结果表明,SAC-xTi/Si体系属于惰性润湿体系,钛的添加显著
【基金项目】
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国家自然科学基金资助项目(51665031),兰州工业学院青年科技创新项目(19K-019),兰州工业学院开物创新团队项目(18KW-05)
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采用改良座滴法在高真空条件下研究了熔融Sn0.3Ag0.7Cu(SAC)-xTi(x为质量分数,%)在800~900℃与单晶硅表面的润湿行为.结果表明,SAC-xTi/Si体系属于惰性润湿体系,钛的添加显著改善了润湿性.在不添加钛时,SAC钎料在800℃与单晶硅润湿1 800 s后达到平衡,平衡接触角为63°;SAC-1Ti钎料在900℃润湿1 800 s后获得最小平衡接触角41°;SAC-3Ti钎料在900℃时达到平衡润湿的时间最短,仅为50 s,平衡接触角为48°.润湿机
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