S型声表面波器件特性分析

来源 :压电与声光 | 被引量 : 0次 | 上传用户：duancj1972

【摘要】

：

在128°y切割X传播方向上的LiNbO3基片上设计并研制了S型声表面波器件.它将输入IDT激发的声表面波中心对称分成两路并由各自的输出IDT检测输出.应用P矩阵法分析了其中一

【作者】

：

章安良朱大中孙颖

【机构】

：

浙江大学

【出处】

：

压电与声光

【发表日期】

：

2005年4期

【关键词】

：

声表面波器件 P矩阵声电再生 surface acoustic wave device P matrix acoustoelectric regenera

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在128°y切割X传播方向上的LiNbO3基片上设计并研制了S型声表面波器件.它将输入IDT激发的声表面波中心对称分成两路并由各自的输出IDT检测输出.应用P矩阵法分析了其中一输出IDT检测输出的1次时延信号、3次和5次渡越反射信号与输入IDT所加的电信号之间的关系式,并与"一"字型器件的3次渡越反射信号进行对比.结果表明,S型声表面波器件能有效地降低3次和5次渡越反射信号.

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