【摘 要】
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采用三氯硅烷水解缩合法合成了含八氢基的笼形倍半硅氧烷(T8H8),并用T8H8合成了多乙烯基硅氧烷笼形倍半硅氧烷(DVS-POSS)树脂,采用FT-IR、1H-NMR、29Si-NMR等手段对其结构进
【机 构】
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华东理工大学国防材料工程研究所华东理工大学国防材料工程研究所上海
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采用三氯硅烷水解缩合法合成了含八氢基的笼形倍半硅氧烷(T8H8),并用T8H8合成了多乙烯基硅氧烷笼形倍半硅氧烷(DVS-POSS)树脂,采用FT-IR、1H-NMR、29Si-NMR等手段对其结构进行了表征;探讨了T8H8与二乙烯基硅氧烷(DVS)的加成反应。研究表明,固化的DVS-POSS具有良好的耐热性能,Td5超过530℃;DVS-POSS树脂复合材料具有优良的介电性能,在9.75MHz下,ε为3.02,tgδ为2.4×10-3。
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