【摘 要】
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描述了一种新颖的、单层厚度0.65 nm并具有直接带隙约为1.8 eV的半导体材料———二硫化钼(MoS2)的研究现状。过渡金属二硫化物半导体MoS2具有电气、光学和催化剂性质以及重
【机 构】
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中国电子科技集团公司第十三研究所,
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描述了一种新颖的、单层厚度0.65 nm并具有直接带隙约为1.8 eV的半导体材料———二硫化钼(MoS2)的研究现状。过渡金属二硫化物半导体MoS2具有电气、光学和催化剂性质以及重要的干润滑性能,具有薄而透明性质的单层MoS2半导体还将辅助石墨烯的应用,如:光电子学和能量储存。主要介绍了材料的半导体性质、半导体器件的实验样品———金属半导体场效应晶体管及其器件结构、特性表征。最后,还指出相关材料和器件研究所面临的挑战,例如:如何获得低成本制备批量的材料、材料掺杂、原理分析以及工艺途径等。
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