【摘 要】
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在聚变相关的钨(W)偏滤器辐照下,研究了低能大流强氢(H)离子辐照对多晶钨材料的刻蚀行为.使用扫描电子显微镜(SEM)、导电原子力显微镜和基于SEM的电子背散射衍射等手段研究了
【机 构】
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大连民族大学辽宁省等离子技术重点实验室 大连116600
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在聚变相关的钨(W)偏滤器辐照下,研究了低能大流强氢(H)离子辐照对多晶钨材料的刻蚀行为.使用扫描电子显微镜(SEM)、导电原子力显微镜和基于SEM的电子背散射衍射等手段研究了大流强(～1022 ions/m2·s)、剂量为1.0× 1026 ions/m2、能量为5～200 eV的氢离子辐照对多晶W材料表面刻蚀行为的影响.结果 表明,随着H离子辐照能量的增加W的溅射率迅速提高,W表面发生刻蚀后产生条纹状结构,而且同一晶粒上条纹的方向具有一致性,条纹两侧的缺陷分布明显不同,意味着W表面的刻蚀优先沿某一特定晶面方向进行.
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