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综述了稀磁半导体及其研究进展，阐述了提高居里温度的方法。从晶体结构、材料的研究现状和待解决的问题几个方面详述了以GaN为代表的传统的Ⅲ一V族基和LiZnAs为代表的新型Ⅰ-Ⅱ-Ⅴ族基两类稀磁半导体的基本特点，并展望了今后的研究重点及发展方向。
GaN基和LiZnAs基稀磁半导体的研究进展
【摘 要】
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综述了稀磁半导体及其研究进展，阐述了提高居里温度的方法。从晶体结构、材料的研究现状和待解决的问题几个方面详述了以GaN为代表的传统的Ⅲ一V族基和LiZnAs为代表的新型Ⅰ-
【机 构】
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重庆师范大学物理与电子工程学院,重庆市光电功能材料重点实验室
【出 处】
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材料导报
【发表日期】
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2013年15期
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