Ho3+掺杂对ZnO薄膜的微观结构和磁性的影响

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研究Ho3+掺杂对氧化锌半导体材料的微结构和磁学性质影响.利用热蒸发技术制备了一系列沉积件Si(100)衬底的Zn1-xHoxO(x=00、0.04、005)薄膜.x射线光谱、表面形貌以及磁性的实验结果表明,Ho+掺杂对ZnO滞膜材料的性能影响很大x射线衍射图显示峰位出现高角度转变并且趋向于(101)取向,在ZnO晶格显示Ho+置换.扫描电子硅微镜和能谱仪对薄膜的农面形貌以及化学讲量分析表明,晶粒尺寸随着Ho+的增加而降低.Zn0.9Ho0.05O薄膜的室温铁磁性测定结果表明,铁磁性可能是山于Ho3+替代
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