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本文报导了Ce：YAP晶体位错蚀坑的腐蚀条件；同时报导了几个主要晶面的位错蚀坑形貌，(100)面呈扁豆形，(010)面呈菱形，(101)面呈椭圆形，这些形状与各自晶面的对称性一致。通过蚀坑形貌在晶体横截面内观察到了小面生长核心区和熔质尾迹等缺陷，并分析了其成因。
高温闪烁晶体Ce：YAP的化学腐蚀形貌
【摘 要】
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本文报导了Ce：YAP晶体位错蚀坑的腐蚀条件；同时报导了几个主要晶面的位错蚀坑形貌，(100)面呈扁豆形，(010)面呈菱形，(101)面呈椭圆形，这些形状与各自晶面的对称性一致。通过蚀坑形貌
【机 构】
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中国科学院上海光学精密机械研究所
【出 处】
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人工晶体学报
【发表日期】
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2004年1期
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