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A single nano-cell-element of chalcogenide-random access memory was fabricated by using the focused ion beam method.
,Reversible Phase Change for C-RAM Nano-Cell-Element Fabricated by Focused Ion Beam Method
【摘 要】
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A single nano-cell-element of chalcogenide-random access memory was fabricated by using the focused ion beam method.
【机 构】
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Research Centre of Functional Semiconductor Film Engineering and Technology, State Key Laboratory of
【出 处】
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中国物理快报（英文版）
【发表日期】
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2005年3期
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