【摘 要】
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采用0．6μm CMOS工艺实现了一种CMOS工艺单片集成有源电感的设计，其电路原理图由2个N型场效应晶体管和2个P型场效应晶体管构成，电感值可受直流偏置控制，占用面积小。仿真结果表明
【机 构】
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东南大学集成电路学院,南通大学江苏省专用集成电路设计重点实验室
【基金项目】
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江苏省高技术项目(BG2005022);南通大学自然科学基金资助项目(05Z114)
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采用0．6μm CMOS工艺实现了一种CMOS工艺单片集成有源电感的设计，其电路原理图由2个N型场效应晶体管和2个P型场效应晶体管构成，电感值可受直流偏置控制，占用面积小。仿真结果表明，该有源电感电路的工作频率范围为1MHz-IGHz，600MHz频率处电感的Q值达到26，等效电感值为400nH。
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