【摘 要】
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对电子束曝光和反应离子刻蚀(RIE)进行了研究.刻蚀使用JR-2B型溅射-刻蚀机,分别采用100 W、150 W、200 W、250 W、300 W的功率,对SiO2进行了刻蚀,反应气为:CHF3,对影响刻蚀的
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对电子束曝光和反应离子刻蚀(RIE)进行了研究.刻蚀使用JR-2B型溅射-刻蚀机,分别采用100 W、150 W、200 W、250 W、300 W的功率,对SiO2进行了刻蚀,反应气为:CHF3,对影响刻蚀的射频功率以及压力、气体流量等工艺参数作了调整,得出了刻蚀速率与射频功率和压力之间、气体流量的关系曲线.实验结果表明:随着射频功率、压力的增大,刻蚀速率不断加快,在某一值上达到最大值.再继续增加射频功率、压力,刻蚀速率反而会下降.随着气体流量的增加,刻蚀速度不断降低.
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