锰掺杂对压电陶瓷介电性能的影响

来源 :陶瓷学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：ydaf2ut9

【摘要】

：

采用传统的电子陶瓷工艺制备了高性能四元系压电陶瓷(PZN-PMS-PZT).考察了不同剂量锰掺杂对压电陶瓷的室温介电常数(εTr)、介电常数温度谱以及居里温度(Tc)的影响.实验结果

【作者】

：

严继康甘国友孙加林陈敬超

【机构】

：

昆明理工大学

【出处】

：

陶瓷学报

【发表日期】

：

2004年期

【关键词】

：

压电陶瓷介电性能居里温度内偏置场

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采用传统的电子陶瓷工艺制备了高性能四元系压电陶瓷(PZN-PMS-PZT).考察了不同剂量锰掺杂对压电陶瓷的室温介电常数(εTr)、介电常数温度谱以及居里温度(Tc)的影响.实验结果表明:随着Mn含量的增加,压电陶瓷的室温介电常数εTr减小;由于内偏置场的影响,居里温度Tc随锰含量的增加而增加.

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