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期刊论文
CMOS器件的单粒子效应及其加固
CMOS器件的单粒子效应及其加固
来源 :原子能科学技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户:wzs
【摘 要】
:
概要综述了CMOS器件的单粒子效应,着重描述了CMOS器件的单粒子效应损伤机理,并介绍了抗单粒子效应的加固技术。
【作 者】
:
宋钦岐
【机 构】
:
骊山微电子公司
【出 处】
:
原子能科学技术
【发表日期】
:
1997年3期
【关键词】
:
单粒子扰动
抗单粒子加固
CMOS器件
航天器
Singleevent upsetSingleevent latchupSingleevent radiatio
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概要综述了CMOS器件的单粒子效应,着重描述了CMOS器件的单粒子效应损伤机理,并介绍了抗单粒子效应的加固技术。
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