【摘 要】
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用3种烟煤与SiO2在氮气保护下合成SiC,发现烟煤可以作为碳源合成SiC,但不同烟煤煤种合成产物差别很大.研究表明,烟煤的挥发分含量及其焦炭的微观结构(如孔隙率大小、气孔形貌
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用3种烟煤与SiO2在氮气保护下合成SiC,发现烟煤可以作为碳源合成SiC,但不同烟煤煤种合成产物差别很大.研究表明,烟煤的挥发分含量及其焦炭的微观结构(如孔隙率大小、气孔形貌和比表面积等)是影响反应系统内物质生成的关键因素.在1 200～1 600 ℃温度范围内研究了3种烟煤的挥发分含量和焦炭微观结构的差异及其对合成SiC反应体系的影响.
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