A位掺杂Sr1-xLa2x/3Bi4Ti4O15陶瓷的铁电介电性能

来源 :扬州大学学报:自然科学版 | 被引量 : 0次 | 上传用户:sfeixxx
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Sr1-xLa2x/3Bi6TiO15(SLBT-x,x=0.00~O.75)陶瓷居里温度(tc)随掺杂量的增加而降低,显示掺杂导致晶格畸变减小,这是由于La^3+取代Sr^2+位而产生的A位空位弱化了相邻TiO6八面体的耦合作用所致.样品介电峰峰高随掺杂量增加而降低,峰形宽化.表现出弥散相变的特征,这是由于La^3+和Sr^2+离子半径的差异以及高掺杂量下La^3+离子部分进入铋氧层所致.样品的剩余极化(2Pr)在掺杂量为0.3时增加到23.1×10^-2C·m^-2,同时矫顽场降低
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