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利用射频磁控溅射方法制备了具有CoSi2成分的非晶薄膜，对非晶薄膜的晶化过程进行了原位X射线分析。结果显示，溅射态薄膜为非晶态，而自由能一成分曲线说明非晶态合金有较低自由能。在非晶晶化过程中初生相为CoSi相，其形成由有效形成热（EHF）因素和结构因素决定。随加热温度升高，非晶薄膜晶化最终得到晶体CoSi2薄膜。