FeCuNbCrSiB薄膜的制备及其巨磁阻抗效应研究

来源 :电子元件与材料 | 被引量 : 0次 | 上传用户：xujuenrong

【摘要】

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采用磁控溅射方法,在玻璃基片上制备了非晶的Fe73.5Cu1Nb3Cr0.5Si13B9薄膜及三明治结构M/C/M(M为Fe73.5Cu1Nb3Cr0.5Si13B9;C为Cu)的多层膜.在频率(1～40)MHz下,研究了薄膜材料

【作者】

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张亚民陈吉安周勇丁文王明军高孝裕

【机构】

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上海交通大学微纳米科学技术研究院

【出处】

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电子元件与材料

【发表日期】

：

2005年5期

【关键词】

：

电子技术巨磁阻抗效应 FeCuNbCrSiB薄膜三明治薄膜 electronic technology giant magneto-impedance Fe

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采用磁控溅射方法,在玻璃基片上制备了非晶的Fe73.5Cu1Nb3Cr0.5Si13B9薄膜及三明治结构M/C/M(M为Fe73.5Cu1Nb3Cr0.5Si13B9;C为Cu)的多层膜.在频率(1～40)MHz下,研究了薄膜材料的巨磁阻抗(GMI)效应随外加磁场的变化关系.结果表明:单层膜的GMI效应较小,只有4.4%;而三明治结构多层膜的GMI效应,比单层膜有较大幅度的提高,在5MHz、120Oe下,纵向和横向GMI效应分别达-17.4%和-20.7%.薄膜材料的纵向GMI效应随外加磁场变化呈现先增后

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