阻抑—褪色光度法测定痕量硅

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【摘要】

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基于NH3-NH4Cl缓冲溶液介质中，Si(Ⅳ)对H2O2氧化十六烷基三甲基溴化铵-姜黄素离子缔合物的褪色反应的抑制作用，提出了测定痕量硅新的高灵敏的褪色光度法。该方法的表观摩尔吸光

【作者】

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刘佳铭

【机构】

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漳州师范学院化学系

【出处】

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分析化学

【发表日期】

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2001年3期

【关键词】

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硅姜黄素十六烷基三甲基溴化铵抑制作用褪色光度法人发水样痕量分析测定方法 silicon(IV) curcumin cetyltrimethy

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基于NH3-NH4Cl缓冲溶液介质中，Si(Ⅳ)对H2O2氧化十六烷基三甲基溴化铵-姜黄素离子缔合物的褪色反应的抑制作用，提出了测定痕量硅新的高灵敏的褪色光度法。该方法的表观摩尔吸光系数ε500=5.70×105L*mol－1*cm－1；线性范围为0.4～3．6 μg/L；线性回归方程ΔA=2.23×10－4+0.02017CSi(Ⅳ)(μg/L)；相关系数r=0.9999；测定下限为2.0×10－8 g/L。本法用于人发样和水样中痕量硅的测定，结果满意

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