【摘 要】
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GaN发光二极管因其寿命、效率和环保等优点得到了广泛的应用。寿命问题一直是限制GaN发光二极管应用的核心问题。为了研究GaN发光二极管的老化过程，计算了GaN发光二极管物理参数，分析了GaN发光二极管的深能级缺陷和非辐射复合中心增加的老化原理，并且针对该原理的老化过程进行物理原理的分析推导，进而建立了老化数学模型。同时，利用一组实际的GaN发光二极管大应力老化实验的数据进行计算，提出了利用该数学模型的GaN发光二极管寿命的测试方法和数学计算方法，并计算出实验GaN发光二极管的寿命数值。提出的GaN发光二极
【机 构】
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中国科学院深圳先进技术研究院生物光子中心，广东深圳518055
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GaN发光二极管因其寿命、效率和环保等优点得到了广泛的应用。寿命问题一直是限制GaN发光二极管应用的核心问题。为了研究GaN发光二极管的老化过程，计算了GaN发光二极管物理参数，分析了GaN发光二极管的深能级缺陷和非辐射复合中心增加的老化原理，并且针对该原理的老化过程进行物理原理的分析推导，进而建立了老化数学模型。同时，利用一组实际的GaN发光二极管大应力老化实验的数据进行计算，提出了利用该数学模型的GaN发光二极管寿命的测试方法和数学计算方法，并计算出实验GaN发光二极管的寿命数值。提出的GaN发光二极管老化数学模型对比传统的阿伦纽斯模型具有针对性强、物理意义明显和寿命预测准等优点，具有很好的实际应用价值。
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