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将无铬化学转化新工艺与射频等离子化学气相沉积（PECVD）技术相结合，先在镁合金表面生成一层多孔结构、附着力高的化学转化膜作为过渡层，再采用PECVD技术低温沉积一层硅掺杂类金刚石（Si—DLC）薄膜复合涂层。扫描电子显微镜和拉曼光谱图分析证实，获得的薄膜由sp2和sp3键杂化的碳硅氢化合物呈层状堆积而成，薄膜均匀、平整致密；制备的薄膜为典型的类金刚石结构。原子力显微镜直观地观察到，掺杂硅的类金刚石薄膜比未掺杂的平整致密。当硅含量达到20％时，得到的DLC薄膜最为平整致密，无铬化学转化膜层均被含硅的DLC