节瘤缺陷平坦化提高高反射膜的激光损伤阈值

来源 :强激光与粒子束 | 被引量 : 0次 | 上传用户：lucasyvette

【摘要】

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探究了节瘤缺陷平坦化技术中平坦化层（刻蚀层）厚度和种子源尺寸之间的刻蚀规律,同时解释了平坦化技术提高节瘤缺陷的损伤阈值的机制。在双离子束溅射系统中,使用SiO2微球模拟真

【作者】

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谢凌云何涛张锦龙焦宏飞马彬王占山程鑫彬

【机构】

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同济大学先进微结构材料教育部重点实验室,同济大学物理科学与工程学院精密光学工程技术研究所

【出处】

：

强激光与粒子束

【发表日期】

：

2018年9期

【关键词】

：

节瘤缺陷平坦化电场增强损伤阈值 nodular defects planarization electric field enhancement lase

【基金项目】

：

国家自然科学基金项目（61522506,51475335,61621001,61235011,91536111）,国家重点研发计划项目（2016YFA0200900）,上海市科委科技基金项目（17JC1400800）,上海市“曙光”计划项目（17SG22）,国家重大科学仪器设备开发专项（2014YQ090709）

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探究了节瘤缺陷平坦化技术中平坦化层（刻蚀层）厚度和种子源尺寸之间的刻蚀规律,同时解释了平坦化技术提高节瘤缺陷的损伤阈值的机制。在双离子束溅射系统中,使用SiO2微球模拟真实的种子源置于基板上,镀制1064nm HfO2/SiO2高反膜,制备人工节瘤缺陷。对类似于实际种子源的SiO2微球一系列不同刻蚀程度的实验得出了节瘤缺陷平坦化技术的刻蚀规律：只要平坦化层（刻蚀层）的厚度稍大于节瘤缺陷的种子源粒径,就可以将种子源完全平坦化。使用时域有限差分法（FDTD）模拟不同平坦化程度的节瘤缺陷内电场增强的结果与节瘤缺

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