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基于中国科学院微电子研究所的GaAs PIN二极管工艺，研究了一种单片单刀单掷开关．为了仿真该单片单刀单掷开关，研制开发了GaAs PIN二极管的小信号模型．在5．5～7．5GHz的频段内，开关正向导通时的插入损耗低于1．6dB，回波损耗大于10dB，开关关断状态的隔离度大于23dB．
C波段GaAs PIN二极管单片单刀单掷开关
【摘 要】
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基于中国科学院微电子研究所的GaAs PIN二极管工艺，研究了一种单片单刀单掷开关．为了仿真该单片单刀单掷开关，研制开发了GaAs PIN二极管的小信号模型．在5．5～7．5GHz的频段内，开关正向
【机 构】
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中国科学院微电子研究所
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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2008年5期
【基金项目】
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国家自然科学基金资助项目（批准号：10002909）
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