【摘 要】
:
采用高温固相法合成了Sr2.95Si O5∶0.05Eu荧光粉,借助X射线衍射仪、光谱仪、激光粒度仪、扫描电子显微镜等分析测试方法分别对荧光粉的晶相、激发与发射光谱、粒度分布、表
【机 构】
:
北京大学包头创新研究院新型发光材料研究所
【基金项目】
:
包头市重大科技发展项目(2013Z1011)资助
论文部分内容阅读
采用高温固相法合成了Sr2.95Si O5∶0.05Eu荧光粉,借助X射线衍射仪、光谱仪、激光粒度仪、扫描电子显微镜等分析测试方法分别对荧光粉的晶相、激发与发射光谱、粒度分布、表面形貌等进行了表征,进而分析了坩埚的加盖工艺对产物性能的影响。实验结果显示:随着坩埚严密程度的增加,产物在蓝光激发下的发光强度增大。坩埚加盖有利于得到Sr3Si O5相纯度高的产物。加盖后,得到的样品颗粒尺寸较大,但是粒径分布均匀。
其他文献
使用一维ZnO纳米线和二维石墨烯复合结构集成到p-GaN表面来同时实现电流扩展和提高LED光提取效率。通过两组有无ZnO纳米线器件的对比,发现ZnO纳米线使器件的光提取效率提高了
研究了金属预制层制备过程中溅射气压对Cu(In1-xGax)Se2(CIGS)薄膜及电池器件性能的影响。通过调节溅射气压改变预制层的结晶状态及疏松度与粗糙度,在合适的预制层结构下,活
设计并模拟计算了延伸波长至2.6μm的复合盖层材料PIN结构In0.82Ga0.18As红外探测器,即PNN型盖层、PIN结构的In0.82Ga0.18As红外探测器。研究了不同厚度及载流子浓度的PNN盖
用溶胶-水热法制备了Sm3+掺杂的Ti O2粉体(Ti O2∶Sm3+),将其按不同质量分数掺杂到P25基体中,制备了具有下转换功能的光阳极,并将其用于染料敏化太阳能电池中,提高了电池的光
利用量子化学的DFT理论,对MOVPE生长GaN薄膜的表面初始反应机理进行研究。通过计算GaCH3和NH3在GaN(0001)-Ga面的4种吸附位的能量曲线发现,GaCH3在各吸附位的吸附能差值不大,
设计并合成了荧光素酰腙类衍生物对羟基苯基荧光素酰腙(FHP),通过对荧光素的化学修饰,并采用酸碱以及二价铜离子为输入,实现了对由荧光素构成的二进制计算器加密的逻辑功能。
以CdCl2·2.5H2O,Na2SeO3和NaBH4为反应物,制备巯基丁二酸稳定的CdSe量子点。在合成的量子点中加入一定浓度的铜离子,铜离子结合于量子点表面而使其荧光猝灭。在猝灭后的
结合紫外光电子能谱(UPS)、X射线光电子能谱(XPS)和原子力显微镜(AFM)等实验手段系统研究了C8-BTBT沉积在层状Mo S2基底上的界面能级匹配、薄膜生长和分子取向。研究发现C8-B
采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法在Si衬底上进行了ZnO的成核与薄膜生长研究。ZnO薄膜的形貌和结晶特性由成核和后期生长过程共同决定,初期成核温度决定了其尺寸和密度,
用沉淀法制备了尺寸约为8 nm的YVO4∶Eu3+纳米粒子,然后用反相微乳液法在YVO4∶Eu3+纳米粒子的表面包覆了一层Si O2壳。利用XRD、TEM、UV-Vis吸收光谱和光致发光光谱对合成的