【摘 要】
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刻蚀工艺分为干法刻蚀和湿法刻蚀,湿法刻蚀具有低成本、选择比高、各向同性的特点,干法刻蚀具有选择比低但各向异性的特点。在高压、大功率器件及集成电路中,铝布线要求能够
【机 构】
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中国电子科技集团公司第四十七研究所
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刻蚀工艺分为干法刻蚀和湿法刻蚀,湿法刻蚀具有低成本、选择比高、各向同性的特点,干法刻蚀具有选择比低但各向异性的特点。在高压、大功率器件及集成电路中,铝布线要求能够承受高压、大电流,在恶劣的环境下具备良好的可靠性,因此需要比较厚的铝。由于湿法腐蚀是各向同性腐蚀,所以纯湿法腐蚀铝膜的侧腐量严重。干法腐蚀是各向异性腐蚀,然而纯干法腐铝光刻胶无法耐受。湿+干的铝腐蚀方法能同时解决纯湿法腐蚀铝膜的侧腐量严重,以及纯干法腐蚀铝膜光刻胶无法耐受的问题。采用纯干法,必须增加掩蔽膜厚度,只增加光刻胶厚度,光刻上无法实现,还有一种复合掩蔽膜刻蚀方法,采用SiO2和光刻胶双层掩蔽膜。
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