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从静电产生的机理和影响因素出发,阐明了静电的危害性,并提出了防止静电损害的措施.结果表明:CMOS集成电路的寿命显著提高.
CMOS集成电路静电损害及防护措施
【摘 要】
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从静电产生的机理和影响因素出发,阐明了静电的危害性,并提出了防止静电损害的措施.结果表明:CMOS集成电路的寿命显著提高.
【机 构】
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湖南师范大学物理与信息科学学院
【出 处】
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机电工程技术
【发表日期】
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2003年5期
其他文献
本文给出两级射频中继卡的设计方案,中继卡阅读器部分采用反向散射调制技术完成从包装射频卡到读写器的数据传输,接收机采用零中频直接变频方案,电路简化,可有效地降低成本。重点设计了中继卡数据载体部分的射频接口各组成部分电路。测试结果表明,该方案满足实际集装箱识别的应用系统的要求。