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从第一原理角度，用基于密度泛函理论（DFT）的全电势线性缀加平面波法（FLAPW）和广义梯度近似（GGA），计算了掺Sn锐钛矿相TiO2的晶格优化结构和电子结构。结果表明：掺Sn以后晶胞体积明显增大，在z方向有伸长的趋势；掺Sn锐钛矿相TiO2典型晶面的电子密度分布与纯的锐钛矿相TiO2的比较表明，掺杂后的Sn-O键比原来的Ti-O键强；掺Sn锐钛矿相TiO2的能带结构图表明，掺杂后仍为间接带隙的半导体，与未掺杂时比较，能隙减小了0．24 eV，与实验趋势相符。