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采用等离子体增强化学气相沉积方法制备得到了不同偏压下（0.8kV、0.9kV、1.0kV）的多界面氟硅共掺杂类金刚石薄膜。通过SEM表征可知，在不同偏压下制备的薄膜厚度分别为5.0μm、8.5μm和10μm；通过TEM表征得到所制备的膜层为无定型结构；划痕测试与腐蚀测试结果显示，0.8kV下制备得到的膜层不仅膜基结合好，而且耐蚀性能好。