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利用变温和变激发功率分别研究了不同厚度CdSe阱层的自组织CdSe量子点的发光。稳态变温光谱表明：低温下CdSe量子阱有很强的发光，高温猝灭，而其表面上的量子点发光可持续到室温，原因归结于量子点的三维量子尺寸限制效应；变激发功率光谱表明：量子点激子发光是典型的自由激子发光，且在功率增加时，宽阱层表面上的CdSe量子点有明显的带填充效应。通过比较不同CdSe阱层厚度的样品的发光，发现其表面上量子点的发光差异较大，这可以归结为阱层厚度不同导致应变弛豫的程度不同，直接决定了所形成量子点的大小与空间分布[1]。