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研究了衬底温度从-20-20℃下射频磁控溅射A1N薄膜的择优取向程度。利用X线衍射（XRD）、原子力显微镜（AFM）和场发射电子显微镜（FESEM）对A1N薄膜的晶体结构、粗糙度及表面和断面形貌进行了分析。研究结果表明，当衬底温度低于0℃时，A1N薄膜中的（100）衍射峰消失，A1N薄膜以（002）面择优取向生长。当衬底温度降低时，A1N薄膜的晶粒大小和表面粗糙度减小。A1N薄膜在0℃下沉积具有最佳的择优取向程度和较低的表面粗糙度。