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通过密度泛函理论研究了非磁状态下应变对石墨型B3N4（g-B3N4）几何与电子结构的影响：结果发现g-B3N4结构具有较高的稳定性,是性能良好的导体,导电电荷主要是N中P电子贡献;随着材料由压缩到拉伸,材料的导电能力变弱,暗示了又一无金属元素导体材料g-B3N4的可靠存在.
应变对石墨型B3N4几何与电子结构的影响
【摘 要】
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通过密度泛函理论研究了非磁状态下应变对石墨型B3N4（g-B3N4）几何与电子结构的影响：结果发现g-B3N4结构具有较高的稳定性,是性能良好的导体,导电电荷主要是N中P电子贡献;随着材
【机 构】
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淮阴工学院数理学院,南京大学物理学院
【出 处】
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盐城工学院学报：自然科学版
【发表日期】
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2013年4期
【基金项目】
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国家自然科学基金资助（10874052）
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