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对现存BJT等效电路模型发射极与基极电阻参数提取方法进行了总结和对比,并针对HICUM模型改进了提取发射极电阻的方法.改进后的方法有效消除了原方法固有的系统误差,并且同时提取了基极电阻.该方法已被成功应用到InGaP/GaAs HBT参数提取中.
HICUM模型发射极及基极电阻的一种提取方法
【摘 要】
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对现存BJT等效电路模型发射极与基极电阻参数提取方法进行了总结和对比,并针对HICUM模型改进了提取发射极电阻的方法.改进后的方法有效消除了原方法固有的系统误差,并且同时
【机 构】
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杭州电子科技大学CAD所
【出 处】
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杭州电子科技大学学报
【发表日期】
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2005年2期
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