【摘 要】
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叙述了采用先进的全平面自对准Si、Mg离子共注入技术的X波段功率GaAs MESFET的设计及制作工艺。采用0.5μm难熔“T”型复合栅及非对称的源、漏结构提高可靠性和击穿电压。在
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叙述了采用先进的全平面自对准Si、Mg离子共注入技术的X波段功率GaAs MESFET的设计及制作工艺。采用0.5μm难熔“T”型复合栅及非对称的源、漏结构提高可靠性和击穿电压。在工艺上,使用了一种简便有效的亚微米光刻技术溅射形成TiWN/Au“T”型复合难熔栅,提高高频性能。测试结果表明各项指标均满足设计要求,在X波段可获得1W的输出功率,具有高击穿、低夹断、小电流、大跨导的特点。
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