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本文论述了寻代缺陷源的工作，缺陷会导致硅片上的管芯失效。要做这一工作，必须能够在线确定缺陷的类型和密度，以确定缺陷是在工艺中的哪几步产生的。通常有两种方法：一种是用显微镜对产品或测试片进行检查；第二种是使用电测试结构的短流程试验，在作ＶＬＳＩ技术的工程分析时，这两种方法都有明显的局限性。镜检的数据缺乏可重复性，并且，不同操作者的结果有很大降到很低的水平。电测试结构需要一层经光刻和腐蚀的导电薄膜，使